Samsung envia primeiros chips de 3 nm do mundo com novo transistor
Por Renan da Silva Dores | Editado por Wallace Moté | 25 de Julho de 2022 às 09h16
A Samsung LSI, divisão de fabricação de chips da sul-coreana, realizou nesta segunda-feira (25) uma cerimônia em que enviou os primeiros chips de 3 nm do mundo. Equipados com um novo tipo de transistor, os chamados GAAFET, os processadores despachados pela companhia atenderão a empresas de criptomineração e marcam um passo importante para a gigante, que supera a TSMC na adoção desses transistores.
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Samsung envia primeiros chips de 3 nm do mundo
O evento contou com a presença de executivos de outras divisões da empresa, bem como de outras companhias coreanas do ramo de semicondutores e do ministro do comércio, indústria e energia do país, Changyang Lee, que parabenizou a Samsung pelo feito e incentivou a união das gigantes de tecnologia da Coreia do Sul para "se manterem à frente na intensa competição dos microprocessadores".
Ainda que o primeiro lote de chips de 3 nm com GAAFET seja destinado a criptomineradores, a Samsung reforçou durante a cerimônia seus planos ambiciosos para expansão da tecnologia. Além de revelar que pretende abrir uma nova linha de fabricação no campus da cidade de Pyeongtaek, a gigante destacou estar trabalhando com clientes para levar os GAAFET a chipsets para smartphones, apesar de não ter anunciado quem seriam esses clientes.
As informações fortalecem as expectativas de que o próximo processador da empresa para a linha Galaxy, conhecido até o momento como Exynos 2300, adote a nova litografia, e abrem precedentes para que a Qualcomm, uma das maiores clientes da Samsung LSI, utilize a tecnologia em futuros chips da família Snapdragon.
Litografia é até 45% mais eficiente que 5 nm
Além das inúmeras otimizações, o processo de 3 nm da Samsung se destaca por ser o primeiro do mundo a estar na fase de fabricação em massa adotando o GAAFET, novo tipo de transistor pesquisados há décadas (desde o início dos anos 2000 pela Samsung), mas adotado com sucesso apenas recentemente. A tecnologia é tida como a sucessora dos FinFET, tipo de transistor mais comum entre as litografias mais avançadas, como os 4 nm da TSMC.
Enquanto os FinFET utilizam transistores estruturados verticalmente, similares a aletas recobertos pelos portões de comunicação em apenas 3 lados, os GAAFET são elevados e podem ser produzidos em formatos de nanofios ou nanofolhas de metal, recobertos pelos portões por todos os lados. É a partir dessa característica que o termo GAA — Gate-All-Around, ou portão ao redor, em tradução livre — foi inserido no nome do componente.
O uso dos nanofios ou nanofolhas possibilita ainda certa customização, já que é possível aumentar ou reduzir sua largura. Engenheiros terão a liberdade de turbinar o desempenho expandindo os transistores, em troca de maior consumo de energia, ou diminuir a largura para focar em eficiência. Segundo a Samsung, o processo de 3 nm com GAAFETs utiliza transistores com nanofolhas de metal, chamados comercialmente de MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET).
A empresa garante que a tecnologia fornece redução de até 45% no consumo de energia, ganhos de até 23% em desempenho e diminuição de 16% em área comparado ao seu próprio processo de 5 nm. Vale destacar que a adoção dos GAAFET será um esforço coletivo da indústria de semicondutores — a Intel e a TSMC também empregarão esses transistores nos processos Intel 20A e N2, de 2 nm.