Snapdragon 8 Gen 2 do Galaxy S23 pode ser fabricado pela própria Samsung

Um novo rumor indica que a versão exclusiva do Snapdragon 8 Gen 2 para o Galaxy S23 deve ser fabricado pela própria Samsung, com seu processo 4LPP de 4 nm — uma evolução da versão adotada no modelo original do Snapdragon 8 Gen 1. Com número de modelo próprio, o chip customizado atingiria clocks mais altos e seria realmente mais eficiente que o antecessor, ainda que testes vazados indiquem que a decisão pode ser um tanto duvidosa.

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As informações chegam através do leaker RGcloudS e sugerem que a nova plataforma contará com duas edições: o SM8550-AB, solução padrão que será utilizada pela maioria dos celulares Android topo de linha de 2023; e o SM8550-AC, a variante exclusiva da Samsung, que será utilizada na família Galaxy S23. Conforme já visto em vazamentos, a variante customizada da sul-coreana deve sair de fábrica com o núcleo de máxima performance rodando a velocidades ligeiramente mais altas, de 3,36 GHz, contra 3,2 GHz da versão comum.

Ao menos essa seria a proposta, mas o leaker traz alguns detalhes preocupantes: em vez de também ser produzido pela TSMC, o componente exclusivo da Samsung seria fabricado pela própria gigante em seu processo 4LPP de 4 nm, uma versão aprimorada da tecnologia utilizada no polêmico Snapdragon 8 Gen 1. O processador da geração anterior ficou conhecido por aquecer demais, ser pouco eficiente e entregar performance abaixo do esperado, especialmente em tarefas muito longas.

RGcloudS indica que houve uma evolução, especialmente em eficiência, com melhorias na ordem de 20%. Dito isso, o informante revela que a companhia precisou reduzir o clock máximo de 3,36 GHz para 2,9 GHz, cenário em que curiosamente conseguiu obter melhor desempenho — com enorme gargalo, o chip não estaria conseguindo manter de maneira adequada as altas frequências mesmo em um ambiente controlado a 25 ℃.

Dando mais crédito ao leaker, os testes vazados da linha Galaxy S23 no banco de dados do Geekbench 5 mostravam isso: mesmo o Galaxy S23 Ultra, maior e com melhor espaço para dissipação de calor, conseguiu atingir 1.521 pontos em single-core e 4.689 pontos em multi-core. Em comparação, um resultado vazado do Xiaomi 13, que adota o Snapdragon 8 Gen 2 padrão (SM8550-AB), aponta que o modelo apresenta 1.507 pontos com um núcleo, e 5.343 pontos com todos os núcleos.

O aparelho da gigante chinesa entrega basicamente a mesma performance em single-core, mesmo com clocks mais baixos de 3,2 GHz, e apresenta vantagem de quase 15% em multi-core, número muito expressivo. Na época, acreditou-se que a diferença fosse reflexo de uma possível falta de otimização na linha Galaxy mas, com o rumor de hoje, é mais provável que se trate do uso da litografia da Samsung.

Apesar da notícia nada animadora, ainda há um ponto positivo: segundo RGcloudS, a ideia da Samsung é recuperar a imagem da divisão de semicondutores da marca, muito abalada pelos últimos lançamentos da família Exynos, duramente criticada pela baixos desempenho e eficiência. No entanto, caso a marca não consiga obter bons resultados, não está descartado o uso do SM8550-AB fabricado pela TSMC.

A companhia não estaria disposta a agravar a percepção tida sobre a Samsung Semiconductor — a divisão que engloba a fundição da marca, responsável pela fabricação de chipsets —, como também não pretende colocar em risco a imagem da família Galaxy S. É importante lembrar que, mesmo com as indicações como os testes vazados, tudo não passa de rumor. É preciso aguardar por anúncios oficiais da Samsung.

Fonte: Gizmochina