Samsung revela primeiros detalhes de memórias DDR6 com até 17.000 MT/s

A Samsung realizou nesta semana o Samsung Tech Day 2021, evento anual em que a empresa traz detalhes das inovações que sua divisão de semicondutores prepara para os próximos anos. O evento requer cadastro e não permite a divulgação de materiais oficiais, mas o site ComputerBase reuniu algumas das informações mais importantes, com destaque para as memórias DDR6, GDDR7 e HBM3.

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Ainda que as memórias DDR5 tenham chegado recentemente ao mercado, e que os chips GDDR6 e HBM2 ainda sejam razoavelmente recentes, gigantes como a Samsung já se preparam para a próxima geração, permitindo o desenvolvimento apropriado das tecnologias que, ao que parece, podem trazer um enorme salto de velocidade.

Memórias DDR6 podem chegar a 17.000 MT/s

As memórias DDR5 estrearam neste ano, com a 12ª geração Intel Alder Lake sendo a primeira família de processadores compatível com a tecnologia. Além de velocidades significativamente mais altas, que podem atingir os 8.500 MT/s, os módulos DDR5 empregam mudanças profundas na arquitetura, como controlador de voltagem integrado, correção interna de erros, hub SPD para armazenamento de perfis de voltagem e overclocking, e mais.

Sua adoção completa é prevista para durar ao menos dois anos, considerando que as inovações impactaram os preços, também afetados pela escassez de chips. Ainda assim, a Samsung aproveitou o Tech Day para confirmar o desenvolvimento das memórias DDR6, e divulgar os primeiros detalhes da próxima geração de RAM.

Os novos módulos devem atingir velocidades padrão de 12.800 MT/s, o dobro dos 6.400 MT/s padrão do DDR5. Além disso, com overclocking, a RAM DDR6 pode oferecer impressionantes 17.000 MT/s, mais que o dobro dos 8.500 MT/s do protocolo atual. Outra novidade é o aumento do número de canais por módulo, que passa agora para 4 — o DDR5 já havia aumentado a quantidade para 2 em comparação ao canal único dos módulos DDR4.

A empresa também trouxe detalhes sobre a versão de baixo consumo das memórias DDR, a Low Power DDR (LPDDR). Mais especificamente, foi confirmado que a nova LPDDR5X, com velocidades de até 8.500 MT/s, entrará em produção ainda no início de 2022. Além disso, os chips LPDDR6 devem estrear junto à DDR6 e também atingir os 17.000 MT/s, mesmo com redução de 20% no consumo.

Dito isso, a própria gigante sul-coreana confirmou que ainda está trabalhando junto aos outros membros do JEDEC, órgão responsável pela definição dos protocolos de memória que inclui a Samsung, a SK Hynix e outras empresas entre os membros, para definir os parâmetros da DDR6 e LPDDR6. A documentação final deve chegar somente em 2024, havendo a possibilidade das especificações anunciadas nesta semana mudarem até lá.

Samsung prepara GDDR7 70% mais veloz que GDDR6

A Samsung também trouxe novidades para as memórias GDDR, dedicadas a placas de vídeo. Atualmente, a indústria utiliza o padrão GDDR6, inaugurado em 2018 com as GPUs Nvidia GeForce RTX 2000, cujas velocidades atingem os 18 Gbps.

A gigante sul-coreana revelou que pretende expandir o clock para 24 Gbps ainda em novembro, com a estreia das memórias que chamou de "GDDR6+". Com a novidade, a empresa passa à frente da solução GDDR6X da Micron, utilizada apenas pela Nvidia no momento, cuja velocidade máxima é estabelecida em 21 Gbps.

Paralelo a isso, a Samsung aproveitou a ocasião para revelar os primeiros detalhes das memórias GDDR7, que ainda não possuem previsão de lançamento, mas prometem oferecer velocidades mais de 70% maiores em comparação à GDDR6, entregando 32 Gbps.

A fabricante também informou que essas memórias devem contar com uma função de "correção de erros em tempo real", ainda que não tenha explicado como essa tecnologia funcionaria. Vale destacar que, assim como a DDR6, mudanças podem acontecer até o anúncio dos parâmetros oficiais do JEDEC.

HBM3 de 800 GB/s entra em produção em 2022

As memórias HBM (High-Bandwidth Memory) são soluções cuja arquitetura permite atingir taxas de transferência altíssimas. Assim sendo, esse tipo de memória é normalmente destinado à computação de alta performance (HPC) em CPUs e GPUs para servidores. O padrão atual é o HBM2, com taxas de transferência de 410 GB/s, acompanhado do recente HBM2E, que aumenta a largura de banda para 450 GB/s.

Com a HBM3, também citada durante o Tech Day, a Samsung pretende dobrar a velocidade para 800 GB/s, desenvolvendo a "memória ideal para aplicações de Inteligência Artificial". A fabricante revelou que a fabricação em massa desses chips começa no segundo trimestre de 2022, entre abril e junho, e enfatizou o foco em IA.

Fonte: ComputerBase, VideoCardz, WCCFTech (1, 2)