SK Hynix anuncia memórias LPDDR5T com velocidade 13% superior à LPDDR5X

Uma das principais fabricantes de memórias do mundo, a SK Hynix apresentou nesta terça (24) os módulos de DRAM no inédito padrão LPDDR5T — com "T" sendo símbolo da palavra "Turbo". As novidades são uma evolução das bastante recentes LPDDR5X, anunciadas em novembro do ano passado, e prometem aprimorar as taxas de transferência em uma margem significativa de até 13%, enquanto reduziriam o consumo.

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Apesar de ser um padrão listado junto à JEDEC, o consórcio internacional de empresas responsável por regular os padrões de memória, a RAM LPDDR5X foi apresentada em novembro pela Samsung Semiconductor, divisão de semicondutores da gigante sul-coreana. Na época, a empresa prometeu um enorme salto de performance e eficiência sobre a LPDDR5 tradicional, fornecendo velocidades de até 8,5 Gbps (ou 8.500 Mbps), frente aos 7,5 Gbps do protocolo mais antigo.

As memórias LPDDR5T, já aprovadas pela JEDEC, iriam além ao turbinar ainda mais essas taxas, conforme destaca a SK Hynix, a primeira gigante do segmento a adotar a solução. A companhia, também sul-coreana, garante que a tecnologia estreante seria capaz de fornecer taxas de transferência de até 9,6 Gbps, mais um ganho respeitável de 13%, e o mais interessante — ainda fazendo parte da 7ª geração de memórias de baixo consumo (Low Power DDR, a LPDDR), que compreende a LPDDR5X.

Os ganhos seriam obtidos sem um aumento considerável na voltagem, com a faixa de operação indo de 1,01 V a 1,12 V. Em comparação, a RAM LPDDR5X anunciada pela Samsung pode operar em voltagens mais baixas, de 0,5 V, mas pode chegar a valores bastante elevados de 1,8 V. Na prática, dispositivos mais compactos e que prezam por bateria podem acabar optando pela LPDDR5X de menor voltagem, enquanto aparelhos mais equilibrados que buscam mais desempenho devem utilizar a nova LPDDR5T.

A SK Hynix revela já ter enviado modelos de testes para fabricantes de dispositivos, com 16 GB de capacidade cada, obtidos através da combinação de múltiplos módulos de memória em um único pacote. Esses módulos, de acordo com a companhia, seriam capazes de processar até 77 GB/s de dados, o que equivaleria à transferência de 15 filmes em resolução Full HD (1080P) por segundo.

Ainda durante o anúncio, a fundição sul-coreana destacou algumas das tecnologias que utilizou para obter as especificações turbinadas das novas memórias. Além da litografia proprietária 1 anm, a quarta geração do processo de fabricação de 10 nm da marca, foi adotado o processo de High-K Metal Gate (HKMG), ou Portão de Metal de Alto K, em tradução livre, em que o K representa a constante dielétrica dos materiais isolantes presentes nas memórias.

A constante dielétrica define a capacidade de um material de acumular carga, também conhecida como capacitância — quanto maior ela for, mais carga pode ser acumulada. Através do processo HKMG, a gigante adota um material de elevada constante dielétrica (portanto, High-K) no filme isolante instalado na DRAM, prevenindo assim vazamentos de corrente elétrica e, como citado há pouco, ampliando a capacitância. A SK Hynix explica que essas características reduzem o consumo de energia e aumentam a velocidade.

As memórias LPDDR5T estão previstas para serem adotadas principalmente por notebooks ultrafinos e smartphones, especialmente com a ascensão do 5G, que deve aumentar o consumo geral dos aparelhos. Dito isso, elas ainda devem ser vistas em outros segmentos, como Inteligência Artificial, Machine Learning e Realidades Virtual e Aumentada (VR/AR). Não há prazos de quando veríamos o lançamento chegar a esses produtos, mas por já estarem em testes, é provável que novidades sejam anunciadas até o final deste ano.

Também é interessante notar como a SK Hynix cita memórias LPDDR6 em seu comunicado, o que sugere que a JEDEC e o conselho de fabricantes já estão trabalhando na 8ª geração de memórias de baixo consumo, cuja expectativa é atingir 17 Gbps quando a tecnologia estiver mais madura.

Fonte: WCCFTech