Samsung inventa novo tipo de memória que vai deixar seu celular mais rápido
Por Nathan Vieira • Editado por Léo Müller |
A Samsung conseguiu criar um protótipo de memória NAND com 900 camadas, uma tecnologia inédita que promete celulares mais rápidos, com maior armazenamento e menor consumo de energia. A ideia é aumentar drasticamente a densidade de armazenamento sem ampliar o tamanho físico do chip.
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A memória NAND é responsável pelo armazenamento interno de celulares, SSDs, notebooks e servidores de IA. Quanto maior o número de camadas empilhadas dentro do chip, maior a capacidade de armazenamento e melhor a eficiência energética.
A Samsung desenvolveu a nova tecnologia usando um método chamado “Cell Multi Bonding” (CMB), que une dois wafers (lâminas de silício usadas para fabricar chips, processadores, memórias NAND, GPUs e outros componentes) de 450 camadas em uma única estrutura de 900 camadas.
Assim, podemos ter smartphones com mais espaço interno, aplicativos abrindo mais rápido, melhor desempenho em multitarefa e maior duração de bateria.
Como a Samsung conseguiu atingir 900 camadas?
Chegar a esse nível não foi simples. Um dos maiores desafios era o chamado “warpage”, quando o wafer de silício se curva devido à pressão do empilhamento extremo.
Para resolver o problema, a Samsung criou um novo sistema chamado “Upper Chuck”, capaz de estabilizar os wafers durante a fabricação. A empresa também desenvolveu uma tecnologia própria de correção de alinhamento microscópico, reduzindo erros na união das camadas.
Enquanto isso, novas estruturas de bitline e wordline ajudaram a diminuir simultaneamente o consumo de energia e o tamanho dos chips.
Atualmente, a SK Hynix lidera a produção comercial com NAND de 321 camadas, enquanto a chinesa YMTC se aproxima das 300 camadas.
Com o protótipo de 900 camadas, a Samsung abre vantagem tecnológica no mercado de memória para IA, data centers e dispositivos móveis. Mas você sabe quanto armazenamento você realmente precisa em 2026? Analisamos hábitos.