Filme condutor de 1,5 nm pode revolucionar indústria de semicondutores
Por Raphael Giannotti • Editado por Jones Oliveira |
A indústria da tecnologia vive de inovações constantes. Agora, pesquisadores da universidade de Stanford conseguiram criar um novo condutor de energia para chips baseado em um filme com 1,5 nm de espessura média, obtendo resultados que não são possíveis com métodos convencionais atuais.
O experimento, publicado na revista Science, começou com uma fina camada de nióbio aplicada em substrato de safira. Os pesquisadores testaram diferentes espessuras dessa camada de nióbio, indo de 4 até 1,4 nm, litografia 50% menor que a usada hoje em dia nos processadores da AMD e Intel, por exemplo.
Em seguida, os pesquisadores aplicaram uma camada de fosfeto de nióbio para formar um filme feito de múltiplos grãos de cristais de forma uniforme. Esse filme, por outro lado, foi testado partindo de 80 nm até 1,5 nm e muitos testes foram conduzidos para chegar na melhor aplicação da técnica.
Baixa resistência e grande condutividade
Tudo isso visa entregar resistência elétrica muito baixa. Em cerca de 1,5 nm, a camada de fosfeto de nióbio tem resistência de cerca 34 micro-ohms por centímetro em temperatura ambiente. Isso equivale, aproximadamente, a 1/6 da resistência com camadas mais grossas. Cobre, o metal mais usado para esse fim, oferece cerca de 100 micro-ohms de resistência por centímetro.
Essa baixíssima resistência permite que o filme de nióbio tenha uma condutividade muito maior que o material usado na atualidade na fabricação de chips semicondutores.
Além disso, a técnica descoberta pelos pesquisadores também é compatível com os padrões atuais de fabricação, logo tem um grande potencial de ser adotada e tornar esses componentes muito mais eficientes.
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