TSMC usará fotônica de silício de 12,8 Tbps em data centers
Por Felipe Vidal • Editado por Jones Oliveira |
Durante o Northern American Technology Symposium 2024, a TSMC anunciou a chegada de uma solução para aumentar a largura de banda de data centers. A tecnologia é baseada em fotônica de silício, que promete aumentar a taxa de transferência de dados para incríveis 12,8 Tbps e se tornar uma das formas mais avançadas para realizar esse processo.
Chamadaode COUPE (Compact Universal Photonic Engine), esse recurso opera por meio de um circuito integrado eletrônico fabricado com litografia de 65 nanômetros (nm) e um circuito integrado de fotônica que utiliza a técnica de empacotamento SoIC-X. Esse conjunto promete ter um consumo energético mais baixo, justamente por conta do SoIC-X, que puxa menos energia e leva menos impedância ao sistema.
“Na TSMC, passamos muitos e muitos anos trabalhando em fotônica de silício. Temos a capacidade de aproximar a fotônica de silício dos elementos de transição, a fim de criar uma sinalização de alta velocidade com muita eficiência energética para atender aos futuros requisitos da computação”, diz o vice-presidente de desenvolvimento de negócios da TSMC, Kevin Zhang
A primeira etapa do COUPE visa fornecer 1,6 Tbps de dados para conectores OSFP (Octa Small Form Factor Pluggable), valor duas vezes maior que as soluções convencionais feitas com cobre. Já o segundo tem integração direta com CoWoS (Chip on Wafer on Silicon), que permitirá transmissão interconectada de nível óptico com placas-mãe de 6,4 Tbps.
O terceiro passo na implementação da fotônica da TSMC deve liberar a taxa de transmissão máxima de 12,8 Tbps. Nessa etapa, o material deve ser empacotado junto ao processador, mas a companhia afirma que essa fase continua em desenvolvimento constante.
Com a chegada da fotônica de silício, a TSMC pode resolver problemas antigos no segmento dos data centers. Além da óbvia melhoria de conexão, o fator eficiência energética deve ser primordial para essa mudança.
Fonte: Tom's Hardware