Samsung anuncia planos de novas memórias HBM4 para 2025
Por Lucas Takashi Hagui • Editado por Jones Oliveira |
A Samsung revelou os planos futuros para a tecnologia de memórias visando o impacto da IA (Inteligência Artificial) nas recentes tecnologias, revelando projetos para memórias HBM4 (High-Bandwidth Memory) a partir de 2025.
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O principal destaque da Samsung foi no desenvolvimento de memórias HBM4 de alta performance, que precisará de altas propriedades térmicas para suportar o alto processamento e, por isso, terá o montagem de Non-Conductive Film (NCF) e ligação híbrida de cobre (HCB - Hybrid Copper Bonding).
Também é destacada a nova tecnologia de 12nm para as DRAM DDR5 da Samsung, as mais avançadas da categoria, que alcançam até 7.2Gbps de velocidade de operação, algo por volta de 20% mais potentes que as da tecnologia anterior.
Atualmente a Samsung trabalha com memórias HBM2E e HBM3, sendo a HBM3E a mais recente criação, com velocidade de até 9.8 Gbps, que será revelada em um breve futuro para os mercados de IA e computadores de alta performance.
Fonte: Samsung