Intel estuda voltar ao mercado de memórias "colando" chip no processador
Por Raphael Giannotti |
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O mercado de memória RAM passa por seu pior momento agora. As três maiores fabricantes de DRAM não dão conta da demanda da IA, e novos players estão ganhando força, enquanto outros estudam a possibilidade de entrar no ramo. Uma delas é a Intel, que já trabalha internamente em projetos com essa tecnologia, segundo o CEO, Lip-Bu Tan, embora não tenha entrado em detalhes.
Durante sua participação no podcast TechSurge, o executivo indicou que a empresa pode estar reavaliando sua entrada no segmento. Antes, Lip-Bu Tan via esse tipo de tecnologia como um segmento de commodities de margem baixa, o que motivou a saída gradual da empresa e o fim de iniciativas como a linha Optane. Agora, a memória voltou ao centro das atenções estratégicas devido ao avanço da inteligência artificial.
Memória sobre a CPU seria a solução da Intel
Entre os caminhos sugeridos por Tan está o empacotamento 3D, que permite o empilhamento direto de memória sobre o processador. A proposta visa reduzir a latência e contornar a chamada "parede da DRAM", um dos principais limites físicos da computação atual. Segundo o CEO, a escassez global e as exigências computacionais mudaram a dinâmica do setor, abrindo espaço para inovações a nível de arquitetura que vão além dos padrões convencionais do mercado hoje.
"Acho que há muitas maneiras de realmente trabalharmos juntos nessa integração e também tentarmos descobrir novas arquiteturas a partir da memória; e acho que, de certa forma, ainda há muito espaço para inovação nessa área, então há um campo realmente promissor", disse o executivo.
A movimentação de bastidores também reforça essa movimentação. A Intel contratou recentemente Seok-Hee Lee, ex-CEO da SK Hynix, para liderar divisões de Foundry e tecnologias avançadas de empacotamento. Além disso, a empresa tem trabalhado em patentes e projetos como a memória ZAM, focada em alternativas para contornar gargalos de largura de banda e eliminar processos caros, como os interposers de silício tradicionais das memórias HBM.