Samsung inicia produção da primeira DDR4 com chip de 10 nanômetros

Por Redação | em 05.04.2016 às 17h03

ddr4 10nm

A Samsung parece pronta para dar o próximo passo no seu já tradicional pioneirismo na produção de pentes de memória. Se em 2010 a fabricante iniciou a produção em massa dos chips DDR3 DRAM de 40 nanômetros, seguidos pelos equivalentes de 20 nanômetros em 2014, trata-se agora de cortar novamente pela metade as dimensões.

Em postagem em seu blog oficial, a gigante sul-coreana anunciou a produção dos novos DDR4 DRAM (RAM dinâmica), chips fabricados com o que há de menor e mais recente em termos de processos de fabricação de semicondutores. Com apenas 10 nanômetros, as novas unidades devem apresentar a eficiência extra cobrada pela nova linha de computadores pessoais e para empresas da Samsung.

Trata-se, afinal, de uma capacidade nominal de 8 Gb (gigabits). Em outras palavras, um único chip pode acomodar 1 GB (gibabyte) de memória – embora normalmente sejam acomodados em módulos de 4 GB e 128 GB para computadores pessoais e servidores, respectivamente.

Mais rápidos, mais econômicos

Basicamente, o valor de 10 nanômetros ora ostentado pela Samsung diz respeito à medida e também ao processo de manufatura dos novos chips DDR4 DRAM. Além da vantagem óbvia de poder acomodar mais células em um único molde de silício, os chips moldados em 10 nanômetros ainda apresentam maior velocidade e economia de energia.

ddr4 10nm

Para efeitos de comparação, o DDR4 de 10 nanômetros tem taxa de transferência da ordem dos 3,2 mil Mbps (megabits por segundo), o que o torna 30% mais rápido do que o modelo similar de 20 nanômetros – cuja velocidade ficava nos 2,4 Mbps. Além disso, as novas unidades ainda consomem entre 10% e 30% menos energia do que o equivalente de 20 nanômetros.

Mas os novos chips da Samsung se destacam mesmo em relação aos igualmente modernos chips NAND – memória flash utilizada em SSDs e cartões de memória. Enquanto um NAND apresenta apenas um transistor por célula de silício, a novas RAM dinâmica da Samsung acomoda um transistor e um capacitor no mesmo espaço – o que pode se tornar um desafio e tanto quando se consideram as 8 milhões de células de um único chip.

Futuro recheio do Galaxy Note?

Naturalmente, a Samsung não pretende parar nos DDR4 de 10 nanômetros. Em vez disso, a expertise conquistada na fabricação dos novos chips deve levar em breve à fabricação de versões destinadas a aparelhos mobile.

SAMSUNG GALAXY NOTE EDGE

Surge, assim, outro desafio. Afinal, smartphones, tablets e afins possuem restrições próprias relacionadas ao espaço e ao consumo de energia. Não obstante, considerando-se que o próximo Galaxy Note – um dos mostruários por excelência de novas tecnologias da empresa - não deve aparecer antes do final deste ano, deve haver tempo para que a Samsung promova as adaptações necessárias.

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