Samsung inicia produção de memória mil vezes mais rápida que eFlash

Por Felipe Ribeiro | 07 de Março de 2019 às 16h02
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A Samsung iniciou a produção em massa e o lançamento de seu primeiro eMRAM comercial, baseado em sua tecnologia de 28-nanômetros de silício isolante (FD-SOI), ou 28FDS. Essa memória tem velocidade de gravação mil vezes mais rápida que a eFlash.

A tecnologia MRAM é não volátil, ou seja, os dados não são apagados mesmo sem eletricidade como o NAND Flash, mas ainda podem processar dados tão rapidamente quanto a DRAM volátil e são considerados uma tecnologia de memória de última geração.

A gigante sul-coreana disse que, por sua eMRAM possuir velocidade de gravação mil vezes mais rápida que a eFlash, ela não exige um ciclo de apagamento antes de gravar dados e pode superar os problemas de escalabilidade. O consumo de energia também é menor, pois não gasta quando desligada. A tecnologia de processo FD-SOI, como o eMRAM, coloca um filme isolante em uma espécie de wafer de silício para reduzir o vazamento de energia.

O lançamento é um marco importante para a Samsung, que se consolida como a maior fabricante de chips de memória do mundo. A empresa tem lucrado com o domínio de seus negócios de chips — que antes a ajudaram a obter lucros recordes por dois anos.

A Samsung também disse que seu módulo eMRAM pode ser facilmente inserido em tecnologias lógicas existentes, como transistor bulk, fin e FD-SOI, e espera que sua solução encontre aplicativos em unidades de microcontrolador, IoT e AI.

Os negócios de fundição da Samsung também aplicaram a eMRAM em seu SoC (system-on-a-chip), que diferenciará suas ofertas dos concorrentes.

Fonte: ZDNet

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