Samsung inicia desenvolvimento de memórias DRAM menores e mais poderosas

Por Redação | 21 de Dezembro de 2017 às 12h30

A Samsung informou nesta quarta-feira (20) que vai iniciar a produção de sua nova linha de chips de memória DRAM construídos em 10 nanômetros, garantindo maior eficiência energética e performance superior.

De acordo com a companhia, o novo modelo de chip, com 8 GB e direcionado a memórias do tipo DDR4, foi fabricado por meio do processo de 10 nanômetros de segunda geração, passando a oferecer eficiência energética 15% superior em relação aos modelos desenvolvidos anteriormente, bem como aumento de performance de 10% e tamanho reduzido.

A divisão de componentes eletrônicos da fabricante sul-coreana pretende distribuir os novos chips a partir de 2018, com foco em aparelhos e dispositivos de alto padrão, incluindo smartphones, placas de vídeo e máquinas direcionadas à computação em nuvem.

Novo chip DRAM da Samsung oferecerá maior desempenho e ocupará menos espaço (Imagem: Samsung)

"Através de uma rápida aceleração da DRAM de 2ª geração da classe 10nm, expandiremos a nossa produção DRAM de forma mais agressiva, com o intuito de acomodar a forte demanda do mercado e continuar a fortalecer nossa competitividade empresarial", disse Gyoyoung Jin, presidente do setor de memórias da Samsung Electronics.

Fonte: Samsung

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